- Tytuł:
- Charging Phenomena at the Interface Between High-k Dielectrics and SiOx Interlayers
- Autorzy:
-
Engström, O.
Raeissi, B.
Piscator, J.
Mitrovic, I. Z.
Hall, S.
Gottlob, H. D. B.
Schmidt, M.
Hurley, P. K.
Cherkaoui, K. - Tematy:
-
defects
dielectrics
high-k
metal oxide semiconductor - Pokaż więcej
- Data publikacji:
- 2010
- Wydawca:
- Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
- Dostawca treści:
- Biblioteka Nauki
Artykuł