Temat: H - Prolib Integro

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "H" wg kryterium: Temat

Wyświetlanie 1-6 z 6

Zaznacz stronę

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: Wyznaczanie grubości warstw BN na podłożu Al2O3 za pomocąspektroskopii FT-IR
Materiały Elektroniczne
Determination of the thickness of BN layers on the Al2O3substrate by FT-IR spectroscopy
Autorzy:: Piątkowska Anna
Możdżonek Małgorzata
Wójcik Marek
Gaca Jarosław
Caban Piotr
Data publikacji:: 2020
Wydawca:: Łukasiewicz – ITME
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: Materiały Elektroniczne 2008 T.36 nr 4
Wpływ trawienia podłoży 4H-SiC na epitaksję GaN = The influence of the 4H-SiC substrats etching on GaN epitaxy
Wpływ trawienia podłoży 4H-SiC na epitaksję GaN
Autorzy:: Caban Piotr
Data publikacji:: 2008
Wydawca:: ITME
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:: Wpływ koncentracji donorów na właściwości i koncentrację centrów defektowych w warstwach epitaksjalnych 4H-SiC = Effect of donor concentration on parameters and concentration of defect centers in 4H-SiC epitaxial layers
Materiały Elektroniczne 2010 T.38 nr 2
Wpływ koncentracji donorów na właściwości i koncentrację centrów defektowych w warstwach epitaksjalnych 4H-SiC
Autorzy:: Kozubal Michał
Data publikacji:: 2010
Wydawca:: ITME
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 4.

Tytuł:: Deep-level deffects in epitaxial 4H-SiC irradiated with low-energy electrons = Głębokie centra defektowe w warstwach epitaksjalnych 4H-SiC napromieniowanych elektronami o niskiej energii
Materiały Elektroniczne 2010 T.38 nr 3/4
Deep-level deffects in epitaxial 4H-SiC irradiated with low-energy electrons
Autorzy:: Kamiński Paweł
Data publikacji:: 2010
Wydawca:: ITME
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 5.

Tytuł:: Oznaczanie tlenu i pary wodnej w gazowym chlorowodorze
Oznaczanie tlenu i pary wodnej w gazowym chlorowodorze = Oxygen water vapour determination in gaseous hydrogen chloride
Materiały Elektroniczne 1973 nr 2
Autorzy:: Wolnik Irena
Data publikacji:: 1973
Wydawca:: Wydaw. Przemysłu Maszynowego "WEMA"
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 6.

Tytuł:: Materiały Elektroniczne 1973 nr 3
Zastosowanie chromatografii gazowej do analizy mieszanin gazowych wodoru lub argonu z fosforowodorem = Gas chramotography use in the analysis of hydrogen or argon gas mixtures with phosphid. Determination of N2, CH4, CO, CO2, PH3 as well as O2 and H2O
Zastosowanie chromatografii gazowej do analizy mieszanin gazowych wodoru lub argonu z fosforowodorem
Autorzy:: Wolnik Irena
Współwytwórcy:: Jaworski Czesław
Data publikacji:: 1973
Wydawca:: Wydaw. Przemysłu Maszynowego "WEMA"
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

na półce

Szczegóły

Wyświetlanie 1-6 z 6

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies