- Tytuł:
-
Preparation of a BiTeI polar semiconductor with a strong asymmetric inversion
Otrzymywanie polarnego półprzewodnika BiTeI, wykazującego silną asymetrię inwersji - Autorzy:
- Materna, A.
- Tematy:
-
topological insulator
BiTeX (X = I, Br, Cl) compounds
VB method
CVT method
izolator topologiczny
związki BiTeX (X = i, Br, cl)
krystalizacja metodą VB
krystalizacja metodą CVT - Pokaż więcej
- Data publikacji:
- 2017
- Wydawca:
- Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
- Dostawca treści:
- Biblioteka Nauki
Artykuł