- Tytuł:
-
Wyznaczanie koncentracji centrów defektowych w półprzewodnikach wysokorezystywnych na podstawie prążków widmowych Laplacea otrzymywanych w wyniku analizy relaksacyjnych przebiegów fotoprądu
Determining defect center concentration in high-resistivity semiconductors from the Laplace spectral fringes obtained by the analysis of the photocurrent relaxation waveforms - Autorzy:
-
Kozłowski, R.
Kamiński, P.
Żelazko, J. - Tematy:
-
HRPITS
radiacyjne centrum defektowe
Si
procedura Laplace'a
radiation defect centres
Laplace procedure - Pokaż więcej
- Data publikacji:
- 2012
- Wydawca:
- Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
- Dostawca treści:
- Biblioteka Nauki
Artykuł