Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "crystal morphology" wg kryterium: Temat


Wyświetlanie 1-2 z 2
Tytuł:
On Morphology of Aluminum–Gallium Nitride Layers Grown by Halide Vapor Phase Epitaxy: The Role of Total Reactants’ Pressure and Ammonia Flow Rate
Autorzy:
Jaroszynski, Piotr
Współwytwórcy:
Jaroszyński, Piotr
Tematy:
Engineering
Physics
nitride semiconductors
aluminum-gallium nitride (AlGaN)
Halide Vapor Phase Epitaxy (HVPE)
crystal growth
growth morphology
supersaturation
Pokaż więcej
Data publikacji:
2024-09-06
Wydawca:
RepOD
Dostawca treści:
Repozytorium Otwartych Danych
Inne
    Wyświetlanie 1-2 z 2

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies