Temat: SIC - Prolib Integro

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "SIC" wg kryterium: Temat

Wyświetlanie 1-7 z 7

Zaznacz stronę

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: Comparison of 4H-SiC and 6H-SiC MOSFET I-V characteristics simulated with Silvaco Atlas and Crosslight Apsys
Autorzy:: Stęszewski, J.
Jakubowski, A.
Korwin-Pawlowski, M. L.
Tematy:: silicon carbide
SiC MOSFET
4H-SiC
6H-SiC
Crosslight Apsys
Silvaco Atlas; Pokaż więcej
Data publikacji:: 2007
Wydawca:: Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: Wpływ trawienia podłoży 4H-SiC na epitaksje GaN
The influence of the 4H-SiC substrats etching on GaN epitaxy
Autorzy:: Caban, P.
Kościewicz, K.
Strupiński, W.
Pągowska, K.
Ratajczak, R.
Wójcik, M.
Gaca, J.
Turos, A.
Szmidt, J.
Tematy:: LP MOVPE
GaN
4H-SiC; Pokaż więcej
Data publikacji:: 2008
Wydawca:: Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:: Deep-level defects in epitaxial 4H-SiC irradiated with low-energy electrons
Głębokie centra defektowe w warstwach epitaksjalnych 4H-SiC napromieniowanych elektronami o niskiej energii
Autorzy:: Kaminski, P.
Kozubal, M.
Caldwell, J. D.
Kew, K. K.
Van Mil, B. L.
Myers-Ward, R. L.
Eddy, C. R. jr.
Gaskill, D. K.
Tematy:: 4H-SiC
DLTS
pułapka elektronowa
defekt punktowy
electron trap
point defects; Pokaż więcej
Data publikacji:: 2010
Wydawca:: Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 4.

Tytuł:: Wpływ koncentracji donorów na właściwości i koncentrację centrów defektowych w warstwach epitaksjalnych 4H-SiC
Effect of donor concentration on parameters and concentration of defect centers in 4H-SiC epitaxial layers
Autorzy:: Kozubal, M.
Tematy:: 4H-SiC
centra defektowe
warstwy epitaksjalne
4H-SJC
defect centers
epitaxial layers; Pokaż więcej
Data publikacji:: 2010
Wydawca:: Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 5.

Tytuł:: Simulation and characterization of 4H-SiC JBS diodes irradiated by hydrogen and carbon ions
Autorzy:: Sharma, R. K.
Hazdra, P
Popelka, S.
Tematy:: 4H-SiC
characterization
JBS diode
PIN diode
simulation
dioda JBS
dioda PIN
symulacje; Pokaż więcej
Data publikacji:: 2015
Wydawca:: Politechnika Łódzka. Wydział Mikroelektroniki i Informatyki
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 6.

Tytuł:: Edge termination design for 1.7 kV silicon carbide p-i-n diodes
Autorzy:: Taube, A.
Sochacki, M.
Tematy:: edge termination
silicon carbide
4H-SiC
p-i-n diode
breakdown voltage
JTE; Pokaż więcej
Data publikacji:: 2020
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 7.

Tytuł:: Characterization of Al2O3/4H-SiC and Al2O3/SiO2/4H-SiC MOS structures
Autorzy:: Taube, A.
Guziewicz, M.
Kosiel, K.
Gołaszewska-Malec, K.
Król, K.
Kruszka, R.
Kamińska, E.
Piotrowska, A.
Tematy:: aluminum oxide
MOS
silicon carbide
4H-SiC
high-K dielectrics
tlenek glinu
węglik krzemu
dielektryki high-k; Pokaż więcej
Data publikacji:: 2016
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Wyświetlanie 1-7 z 7

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies