- Tytuł:
-
Identyfikacja centrów defektowych w warstwach epitaksjalnych 4H-SiC
Identification of defect centers in 4H-SiC epitaxial layers - Autorzy:
- Kozubal, Michał
- Tematy:
-
defekty punktowe
głębokie pułapki
DLTS
napromieniowanie elektronami
SiC
point defects
deep traps
electron irradiation - Pokaż więcej
- Data publikacji:
- 2013
- Wydawca:
- Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
- Dostawca treści:
- Biblioteka Nauki
Artykuł