Autor: Wójcik, M.J. - Prolib Integro

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: Rentgenowska metoda określania profilu składu chemicznego w heterostrukturach GaN/InGaN otrzymywanych metodą MOCVD na podłożu szafirowym
HRXRD investigation of the chemical composition profile in the GaN/InGaN heterostructures grown by the MOCVD method on a sapphire substrate
Autorzy:: Wójcik, M.
Strupiński, W.
Rudziński, M.
Gaca, J.
Tematy:: HRXRD
heterostruktura
interfejs
GaN
InGaN
heterostructure
interface; Pokaż więcej
Data publikacji:: 2012
Wydawca:: Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Szczegóły

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: HRXRD study of ZnO single crystals bombarded with Ar ions
Badanie metodami wysokorozdzielczej dyfraktometrii rentgenowskiej monokryształów ZnO bombardowanych jonami Ar
Autorzy:: Wójcik, M.
Gaca, J.
Caban, P.
Turos, A.
Tematy:: HRXRD
ZnO monocrystal
ion implantation
radiation defect analysis
wysokorozdzielcza dyfrakcja rentgenowska
monokryształ ZnO
implantacja jonów
analiza defektów radiacyjnych; Pokaż więcej
Data publikacji:: 2016
Wydawca:: Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Szczegóły

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:: Wpływ profilu interfejsów i zaburzeń grubości warstw w zwierciadłach Bragga na ich własności optyczne
Effects of composition grading at heterointefaces and variations in thickness of layers on Bragg Mirror quality
Autorzy:: Gaca, J.
Mazur, K.
Turos, A.
Wesołowski, M.
Wójcik, M.
Jasik, A.
Muszalski, J.
Pierściński, K.
Tematy:: DBR
HRXRD
XRR
reflektometria optyczna
optical reflectivity; Pokaż więcej
Data publikacji:: 2013
Wydawca:: Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Szczegóły

Skocz do pozycji: 4.

Tytuł:: Badanie heterostruktur związków AIIIN zawierających warstwy ultracienkie
The investigation of heterostructures based on AIIIN compounds with ultra thin crystalline layers
Autorzy:: Wójcik, M.
Gaca, J.
Turos, A.
Strupiński, W.
Caban, P.
Borysiuk, J.
Pathak, A. P.
Sathish, N.
Tematy:: heterostruktura
AIIIN
warstwa buforowa
XRD
heterostructure
buffer layer; Pokaż więcej
Data publikacji:: 2008
Wydawca:: Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Szczegóły

Skocz do pozycji: 5.

Tytuł:: Wpływ trawienia podłoży 4H-SiC na epitaksje GaN
The influence of the 4H-SiC substrats etching on GaN epitaxy
Autorzy:: Caban, P.
Kościewicz, K.
Strupiński, W.
Pągowska, K.
Ratajczak, R.
Wójcik, M.
Gaca, J.
Turos, A.
Szmidt, J.
Tematy:: LP MOVPE
GaN
4H-SiC; Pokaż więcej
Data publikacji:: 2008
Wydawca:: Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Szczegóły

Skocz do pozycji: 6.

Tytuł:: Badanie odkształceń sieci krystalicznej w implantowanej warstwie epitaksjalnej GaN osadzonej metodą MOCVD na podłożu szafirowym o orientacji [001]
Lattice strain study in implanted GaN epitaxial layer deposited by means of MOCVD technique on [001] oriented sapphire substrate
Autorzy:: Wójcik, M.
Gaca, J.
Wierzbicka, E.
Turos, A.
Strupiński, W.
Caban, P.
Sathish, N.
Pągowska, K.
Tematy:: HRXRD
implementacja jonowa
dyfrakcja
ion implantation
diffraction; Pokaż więcej
Data publikacji:: 2011
Wydawca:: Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Szczegóły

Informacja