- Tytuł:
- Incorporation of indium into GaN layers in the context of MOVPE thermodynamics and growth – Ab initio studies
- Autorzy:
- Strąk, Paweł
- Współwytwórcy:
- Strąk, Paweł
- Tematy:
-
Chemistry
Physics
Computer simulation, A1. Surface processes, A3. Metalorganic vapor phase epitaxy, B1. Nitrides, B2. Semiconducting III-V materials - Pokaż więcej
- Wydawca:
- RepOD
- Dostawca treści:
- Repozytorium Otwartych Danych
Inne