Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Semiconductor doping" wg kryterium: Temat


Wyświetlanie 1-3 z 3
Tytuł:
Role of Metallic Adlayer in Limiting Ge Incorporation into GaN - dataset
Autorzy:
Turski, Henryk
Wolny, Pawel
Chlipala, Mikolaj
Sawicka, Marta
Reszka, Anna
Kempisty, Pawel
Konczewicz, Leszek
Muziol, Grzegorz
Siekacz, Marcin
Skierbiszewski, Czeslaw
Współwytwórcy:
Kempisty, Paweł
Tematy:
Physics
Gallium nitride
Molecular beam epitaxy
Semiconductor doping
Germanium
Indium
Pokaż więcej
Wydawca:
RepOD
Dostawca treści:
Repozytorium Otwartych Danych
Inne
Tytuł:
Optimization of p-cladding layer utilizing polarization doping for Blue-Violet InGaN laser diodes
Autorzy:
AKTAŞ, Muhammed
KAFAR, Anna
STANCZYK, Szymon
MARONA, Lucja
SCHIAVON, Dario
GRZANKA, Szymon
WIŚNIEWSKI , Przemysław
PERLIN, Piotr
Współwytwórcy:
AKTAŞ, Muhammed
Tematy:
Engineering
Physics
Optoelectronics
Laser Diode
III-Nitride Semiconductor
InGaN Quantum Wells
Polarization Doping
Pokaż więcej
Data publikacji:
2024-07-08
Wydawca:
RepOD
Dostawca treści:
Repozytorium Otwartych Danych
Inne
Tytuł:
Polarization - Doped InGaN LEDs and Laser Diodes for Broad Temperature Range Operation
Autorzy:
AKTAŞ, Muhammed
GRZANKA, Szymon
MARONA, Lucja
GOSS, Jakub
STASZCZAK, Grzegorz
KAFAR, Anna
PERLIN, Piotr
Współwytwórcy:
AKTAŞ, Muhammed
Tematy:
Engineering
Physics
optoelectronics
laser diode
LED
cryogenic temperature
III-nitride semiconductor
InGaN quantum wells
polarization doping
Pokaż więcej
Data publikacji:
2024-09-13
Wydawca:
RepOD
Dostawca treści:
Repozytorium Otwartych Danych
Inne
    Wyświetlanie 1-3 z 3

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies