Autor: Sosnowska, D. - Prolib Integro

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Sosnowska, D." wg kryterium: Autor

Wyświetlanie 1-3 z 3

Zaznacz stronę

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: Study of Si-Implanted and Thermally Annealed Layers of Silicon by Using X-ray Grazing Incidence Methods
Autorzy:: Klinger, D.
Lefeld-Sosnowska, M.
Pełka, J. B.
Paszkowicz, W.
Gierłowski, P.
Pankowski, P.
Tematy:: 61.10.-i
61.10.Kw
61.72.Tt
68.35.Fx
81.40.Ef
81.65.Mq; Pokaż więcej
Data publikacji:: 2002-05
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: X-ray Topographic Investigations of Domain Structure in Czochralski Grown $Pr_{x}La_{1-x}AlO_{3}$ Crystals
Autorzy:: Wieteska, K.
Wierzchowski, W.
Malinowska, A.
Turczyński, S.
Lefeld-Sosnowska, M.
Pawlak, D.
Łukasiewicz, T.
Graeff, W.
Tematy:: 81.05.-t
81.10.Dn
61.72.Ff; Pokaż więcej
Data publikacji:: 2010-02
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:: Synchrotron Topographic Studies of Domain Structure in Czochralski Grown $Pr_xLa_{1-x}AlO_3$ and $Pr_xLa_{1-x-y}Mg_yAlO_3$ Crystals
Autorzy:: Wieteska, K.
Wierzchowski, W.
Malinowska, A.
Turczyński, S.
Lefeld-Sosnowska, M.
Pawlak, D.
Łukasiewicz, T.
Paulmann, C.
Tematy:: 81.05.-t
81.10.Dn
61.72.Ff; Pokaż więcej
Data publikacji:: 2012-04
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Wyświetlanie 1-3 z 3

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies