Temat: defect center - Prolib Integro

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: Centra defektowe w wysokorezystywnych warstwach epitaksjalnych = Defect centers in high-resistivity epitaxial GaN
Materiały Elektroniczne 2011 T.39 nr 1
Centra defektowe w wysokorezystywnych warstwach epitaksjalnych
Autorzy:: Kamiński Paweł
Data publikacji:: 2011
Wydawca:: ITME
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

Szczegóły

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: Wpływ warunków krystalizacji na powstawanie defektów w kryształach czteroboranu litu
Materiały Elektroniczne 1998 T.26 nr 2
Wpływ warunków krystalizacji na powstawanie defektów w kryształach czteroboranu litu = A dependence of defective structure of lithium tetraborate crystals on growth condictions
Autorzy:: Kisielewski Jarosław
Współwytwórcy:: Szyrski Włodzimierz
Świrkowicz Marek
Gałązka Zbigniew
Data publikacji:: 1998
Wydawca:: ITME
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

Szczegóły

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:: Zastosowanie metody DLTS do badania głębokich centrów defektowych w warstwach epitaksjalnych wieloskładnikowych związków AIIIBV
Zastosowanie metody DLTS do badania głębokich centrów defektowych w warstwach epitaksjalnych wieloskładnikowych związków AIIIBV = Application of DLTS method to investigation of deep defect centers in epitaxial layers of multicomponent III-V compounds
Materiały Elektroniczne 1998 T.26 nr 1
Autorzy:: Kozłowski Roman
Współwytwórcy:: Kamiński Paweł
Data publikacji:: 1998
Wydawca:: ITME
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

Szczegóły

Skocz do pozycji: 4.

Tytuł:: Wykorzystanie metody ESR do charakteryzacji defektów paramagnetycznych w półprzewodnikowych kryształach należących do grupy A3B5. Praca doktorska
Wykorzystanie metody ESR do charakteryzacji defektów paramagnetycznych w półprzewodnikowych kryształach należących do grupy A3B5 = The use of ESR method for characterization of paramagnetic defects in semiconductor A3B5 crystals
Autorzy:: Palczewska Maria
Współwytwórcy:: Kamińska, Maria. Promotor.
Data publikacji:: 1993
Wydawca:: ITME
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

Szczegóły

Skocz do pozycji: 5.

Tytuł:: Niestacjonarna spektroskopia fotoprądowa o dużej rozdzielczości jako nowa metoda badania centrów defektowych w półprzewodnikach wysokorezystywnych. = High resolution photoinduced transient spectroscopy as a new characterization method of defect centres in high resistivity semiconductors
Niestacjonarna spektroskopia fotoprądowa o dużej rozdzielczości jako nowa metoda badania centrów defektowych w półprzewodnikach wysokorezystywnych. Rozprawa doktorska
Autorzy:: Kozłowski Roman
Współwytwórcy:: Kamiński, Paweł. Promotor.
Data publikacji:: 2001
Wydawca:: ITME
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

Szczegóły

Skocz do pozycji: 6.

Tytuł:: Analiza błędu wartości parametrów centrów defektowych wyznaczanych metodą niestacjonarnej spektroskopii fotoprądowej PITS = Error analysis of the parameters of the defect centres determined by the photoinduced transient spectroscopy PITS
Analiza błędu wartości parametrów centrów defektowych wyznaczanych metodą niestacjonarnej spektroskopii fotoprądowej PITS
Materiały Elektroniczne 2012 T.40 nr 2
Autorzy:: Pawłowski, Michał.
Pawłowski Michał
Współwytwórcy:: Suproniuk Marek
Suproniuk, Marek.
Data publikacji:: 2012
Wydawca:: ITME
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

Szczegóły

Informacja