Temat: SIC - Prolib Integro

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "SIC" wg kryterium: Temat

Wyświetlanie 1-6 z 6

Zaznacz stronę

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: Effect of friction stir processing (FSP) on microstructure and hardness of AlMg10/SiC composite
Autorzy:: Iwaszko, J.
Kudła, K.
Tematy:: friction stir processing
AlMg10/SiC composite
microstructure
kompozyt AlMg10/SiC
mikrostruktura
FSP; Pokaż więcej
Data publikacji:: 2019
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: Edge termination design for 1.7 kV silicon carbide p-i-n diodes
Autorzy:: Taube, A.
Sochacki, M.
Tematy:: edge termination
silicon carbide
4H-SiC
p-i-n diode
breakdown voltage
JTE; Pokaż więcej
Data publikacji:: 2020
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:: Problems related to the correct determination of switching power losses in high-speed SiC MOSFET power modules
Autorzy:: Zięba, Dawid
Rąbkowski, Jacek
Tematy:: SiC MOSFET
power modules
channel current
switching losses
time alignment
moduł mocy
prąd kanału
straty przełączania
wyrównanie czasu; Pokaż więcej
Data publikacji:: 2022
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 4.

Tytuł:: Multiparameter reliability model for SiC power MOSFET subjected to repetitive thermomechanical load
Autorzy:: Bąba, Sebastian
Tematy:: reliability engineering
reliability modelling
power MOSFET
SiC
silicon carbide
inżynieria niezawodności
modelowanie niezawodności
węglik krzemu
tranzystor mocy MOSFET; Pokaż więcej
Data publikacji:: 2021
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 5.

Tytuł:: Multiparameter reliability model for SiC power MOSFET subjected to repetitive thermomechanical load
Autorzy:: Bąba, Sebastian
Tematy:: reliability engineering
reliability modelling
power MOSFET
SiC
silicon carbide
inżynieria niezawodności
modelowanie niezawodności
węglik krzemu
tranzystor mocy MOSFET; Pokaż więcej
Data publikacji:: 2021
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 6.

Tytuł:: Characterization of Al2O3/4H-SiC and Al2O3/SiO2/4H-SiC MOS structures
Autorzy:: Taube, A.
Guziewicz, M.
Kosiel, K.
Gołaszewska-Malec, K.
Król, K.
Kruszka, R.
Kamińska, E.
Piotrowska, A.
Tematy:: aluminum oxide
MOS
silicon carbide
4H-SiC
high-K dielectrics
tlenek glinu
węglik krzemu
dielektryki high-k; Pokaż więcej
Data publikacji:: 2016
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Wyświetlanie 1-6 z 6

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies