- Tytuł:
-
Deep-level deffects in epitaxial 4H-SiC irradiated with low-energy electrons = Głębokie centra defektowe w warstwach epitaksjalnych 4H-SiC napromieniowanych elektronami o niskiej energii
Materiały Elektroniczne 2010 T.38 nr 3/4
Deep-level deffects in epitaxial 4H-SiC irradiated with low-energy electrons - Autorzy:
- Kamiński Paweł
- Data publikacji:
- 2010
- Wydawca:
- ITME
- Dostawca treści:
- RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych
Książka
