Autor: Hofman Władysław - Prolib Integro

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Hofman Władysław" wg kryterium: Autor

Wyświetlanie 1-5 z 5

Zaznacz stronę

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: Materiały Elektroniczne 1983 nr 3(43)
Identyfikacja i pochodzenie wtrąceń w syntetycznym kwarcu = Identification and genesis of inclusions in hydrothermally-grown quartz crystals
Identyfikacja i pochodzenie wtrąceń w syntetycznym kwarcu
Autorzy:: Hofman Władysław
Data publikacji:: 1983
Wydawca:: Wydaw. Przemysłu Maszynowego "WEMA"
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: Materiały Elektroniczne 1088 nr 1(61)
Modelowanie zmian prędkości wzrostu monokryształów kwarcu = The modeling of growth rate variations of quartz single crystals
Materiały Elektroniczne 1(61)/1988
Modelowanie zmian prędkości wzrostu monokryształów kwarcu
Autorzy:: Hofman Władysław
Data publikacji:: 1988
Wydawca:: Wydaw. Przemysłu Maszynowego "WEMA"
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:: Wzrost i obróbka monokryształów szafiru o średnicach 1" i 2" = Growth and machining of 1" and 2" of sapphire
Wzrost i obróbka monokryształów szafiru o średnicach 1" i 2"
Materiały Elektroniczne 2003 T.31 nr 3/4
Autorzy:: Hofman Władysław
Współwytwórcy:: Kisielewski Jarosław
Data publikacji:: 2003
Wydawca:: ITME
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 4.

Tytuł:: Materiały Elektroniczne 1995 T.23 nr 4
Technologia podłoży kwarcowych do rezonatorów i filtrów z akustyczną fala powierzchniową
Technologia podłoży kwarcowych do rezonatorów i filtrów z akustyczną fala powierzchniową = Technology of quartz substrates for SAW resonators and filters
Autorzy:: Hofman Władysław
Współwytwórcy:: Soluch Waldemar
Wróbel Tadeusz
Data publikacji:: 1995
Wydawca:: ITME
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 5.

Tytuł:: Badanie defektów krystalograficznych generowanych w trakcie operacji wytwarzania tranzystora p-n-p = Examination of crystallographic defects during p-n-p transistor process technology
Materiały Elektroniczne 1978 nr 3(23)
Badanie defektów krystalograficznych generowanych w trakcie operacji wytwarzania tranzystora p-n-p
Autorzy:: Hofman Władysław
Współwytwórcy:: Pawłowska Marta
Wąsowski Jan
Wierzchowski Wojciech
Data publikacji:: 1979
Wydawca:: Wydaw. Przemysłu Maszynowego "WEMA"
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

na półce

Szczegóły

Wyświetlanie 1-5 z 5

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies