- Tytuł:
-
Wpływ koncentracji donorów na właściwości i koncentrację centrów defektowych w warstwach epitaksjalnych 4H-SiC
Effect of donor concentration on parameters and concentration of defect centers in 4H-SiC epitaxial layers - Autorzy:
- Kozubal, M.
- Tematy:
-
4H-SiC
centra defektowe
warstwy epitaksjalne
4H-SJC
defect centers
epitaxial layers - Pokaż więcej
- Data publikacji:
- 2010
- Wydawca:
- Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
- Dostawca treści:
- Biblioteka Nauki
Artykuł