Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Tytuł pozycji:

TEM studies of PtSi low Schottky-barrier contacts for source/drain in MOS transistors

Szczegóły
Opis

Tytuł:: TEM studies of PtSi low Schottky-barrier contacts for source/drain in MOS transistors
Współwytwórcy:: Kątcki, Jerzy
Łaszcz, Adam
Czerwiński, Andrzej (elektronik)
Ratajczak, Jacek (elektronik)
Tematy:: Elektryczność
Data publikacji:: 2011
Język:: angielski
Prawa:: http://www.europeana.eu/rights/rr-r/
Publikacja chroniona prawem autorskim - reprodukcja cyfrowa dostępna w czytelniach BN i na terminalach Academiki
Źródło:: Biblioteka Narodowa
Dostawca treści:: Academica
: Artykuł

Przejdź do źródła

Bibliogr.

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies

Informacja

TEM studies of PtSi low Schottky-barrier contacts for source/drain in MOS transistors