Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Tytuł pozycji:

Deep centers in InGaAs/InP layers grown by molecular beam epitaxy

Szczegóły
Opis

Tytuł:: Deep centers in InGaAs/InP layers grown by molecular beam epitaxy
Współwytwórcy:: Bak-Misuk, Jadwiga
Kowalczyk, Anna E.
Kaniewski, Janusz
Muszalski, Jan
Instytut Technologii Elektronowej
Ornoch, Leszek
Instytut Fizyki PAN
Data publikacji:: 2005
Język:: angielski
Prawa:: http://www.europeana.eu/rights/rr-r/
Publikacja chroniona prawem autorskim - reprodukcja cyfrowa dostępna w czytelniach BN i na terminalach Academiki
Źródło:: Biblioteka Narodowa
Dostawca treści:: Academica
: Artykuł

Przejdź do źródła

Bibliogr.

Materiały z konferencji: Surface Physics and Thin-Films Structure Seminar; Szklarska Poręba, 17-21 May 2005.

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies

Informacja

Deep centers in InGaAs/InP layers grown by molecular beam epitaxy