- Tytuł:
- Wpływ procesów przygotowania podłoża 4H - SiC na właściwości diod Schottkyego
- Współwytwórcy:
-
Piotrowska, Anna
Guziewicz, Marek
Sochacki, Mariusz
Szmidt, Jan
Kamińska, Eliana
Kwietniewski, Norbert - Data publikacji:
- 2008
- Język:
- polski
- Prawa:
-
http://www.europeana.eu/rights/rr-r/
Publikacja chroniona prawem autorskim - reprodukcja cyfrowa dostępna w czytelniach BN i na terminalach Academiki - Źródło:
- Biblioteka Narodowa
- Dostawca treści:
- Academica
- Artykuł