Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Tytuł pozycji:

Detection of shallow dislocations on 4H-SiC substrate by etching method

Szczegóły
Opis

Tytuł:: Detection of shallow dislocations on 4H-SiC substrate by etching method
Autorzy:: Ishikawa, Y.
Współwytwórcy:: Sugawara, Y.
Shibata, N.
Suzuki, H.
Yao, Y.
Danno, K.
Kawai, Y.
Bessho, T.
Sato, K.
Data publikacji:: 2011
Język:: angielski
Prawa:: http://www.europeana.eu/rights/rr-f/
Publikacja udostępniona za zgodą wydawcy. Całość ani żadna z jej części nie może być przetwarzana ani wykorzystywana w celach komercyjnych
Dostawca treści:: Academica
: Artykuł

Przejdź do źródła

Materiały konferencyjne: "The E-MRS Fall Meeting, Symposium H", Warszawa.

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies

Informacja

Detection of shallow dislocations on 4H-SiC substrate by etching method