Application of high-resistivity silicon substrate for fabrication of MOSFET-based THz radiation detectors

Szczegóły
Opis

Tytuł:: Application of high-resistivity silicon substrate for fabrication of MOSFET-based THz radiation detectors
Współwytwórcy:: Kucharski, Krzysztof (elektronik) Autor
Marczewski, Jacek, (1953- ) Autor
Kopyt, Paweł. Autor
Głuszko, Grzegorz, Autor
Panas, Andrzej Jarosław, Autor
Tomaszewski, Daniel, Autor
Zagrajek, Przemysław Piotr. Autor
Tematy:: Krzem
MOSFET
Technika terahercowa
Właściwości fizyczne
Data publikacji:: 2018
Język:: angielski
Prawa:: http://www.europeana.eu/rights/rr-r/
Publikacja chroniona prawem autorskim - reprodukcja cyfrowa dostępna w czytelniach BN i na terminalach Academiki
Źródło:: Biblioteka Narodowa
Dostawca treści:: Academica
: Artykuł

Przejdź do źródła

artykuł z czasopisma naukowego

Bibliografia na stronie 968.

Materiały z konferencji: 47th International School and Conference on the Physics of Semiconductors "Jaszowiec 2018", 16-22 czerwca 2018 r., Szczyrk.

referat

artykuł z czasopisma fizycznego

Informacja

Application of high-resistivity silicon substrate for fabrication of MOSFET-based THz radiation detectors