Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Tytuł pozycji:

A model for changing the technological process for the growth of epitaxial layers by means of the heating of the growth zone

Tytuł:
A model for changing the technological process for the growth of epitaxial layers by means of the heating of the growth zone
Autorzy:
Pankratov, Evgeny L.
Tematy:
epitaxy
gas phase
improvement of properties
film
analytical approach
modeling
Data publikacji:
2021
Wydawca:
Akademia Górniczo-Hutnicza im. Stanisława Staszica w Krakowie. Wydawnictwo AGH
Język:
angielski
Prawa:
CC BY: Creative Commons Uznanie autorstwa 4.0
Źródło:
Computer Methods in Materials Science; 2021, 21, 1; 5-12
2720-4081
2720-3948
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
  Przejdź do źródła  Link otwiera się w nowym oknie
The nonstationary transfer of heat during epitaxial layer growth in gas phase epitaxy reactors is analyzed within the work. Based on this analysis, several recommendations on the organization of the heating of the growth zone to increase the homogeneity of the epitaxial layers were formulated. An approach to analyze the transfer of heat during epitaxial layer growth from the gas phase is also introduced. The approach leads to the possibility of simultaneously accounting for heat transfer nonlinearity and changes of parameters of heat transfer in both space and time.

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies