Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Tytuł pozycji:

New DX-Related Photoinduced Absorption in AlGaAs:Te

Szczegóły
Opis

Tytuł:: New DX-Related Photoinduced Absorption in AlGaAs:Te
Autorzy:: Kaczor, P.
Żytkiewicz, Z. R.
Tematy:: 71.55.Eq
Data publikacji:: 1991-09
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Język:: angielski
Prawa:: Wszystkie prawa zastrzeżone. Swoboda użytkownika ograniczona do ustawowego zakresu dozwolonego użytku
Źródło:: Acta Physica Polonica A; 1991, 80, 3; 397-400
0587-4246
1898-794X
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki
: Artykuł

Przejdź do źródła

Absorption measurements on thick AlGaAs:Te layers reveal a new absorption band at ca. 0.55 eV. Also the absorption coefficient of the DX-center ground state was measured directly for the first time.

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies

Informacja

New DX-Related Photoinduced Absorption in AlGaAs:Te