Passivation of a Bulk Defect E$\text{}_{c}$-0.22 eV in GaAs by Contact with Phosphoric Acid

Szczegóły
Opis

Tytuł:: Passivation of a Bulk Defect E$\text{}_{c}$-0.22 eV in GaAs by Contact with Phosphoric Acid
Autorzy:: Babiński, A.
Gołdys, E.
Tematy:: 61.70.At
81.60.Cp
71.55.Eq
Data publikacji:: 1991-02
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Język:: angielski
Prawa:: Wszystkie prawa zastrzeżone. Swoboda użytkownika ograniczona do ustawowego zakresu dozwolonego użytku
Źródło:: Acta Physica Polonica A; 1991, 79, 2-3; 277-280
0587-4246
1898-794X
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki
: Artykuł

Przejdź do źródła

The E$\text{}_{c}$-0.22 eV trap in Horizontal Bridgman undoped n-type GaAs may be passivated by contact with phosphoric acid for 8 hours at room temperature. Isochronal annealing, at around 250°C for 1 hour resulted in the partial recovery of this defect. The possible mechanisms of E$\text{}_{c}$-0.22 eV trap passivation are proposed.

Informacja

Passivation of a Bulk Defect E$\text{}_{c}$-0.22 eV in GaAs by Contact with Phosphoric Acid