Tytuł pozycji:
Passivation of a Bulk Defect E$\text{}_{c}$-0.22 eV in GaAs by Contact with Phosphoric Acid
- Tytuł:
-
Passivation of a Bulk Defect E$\text{}_{c}$-0.22 eV in GaAs by Contact with Phosphoric Acid
- Autorzy:
-
Babiński, A.
Gołdys, E.
- Tematy:
-
61.70.At
81.60.Cp
71.55.Eq
- Data publikacji:
-
1991-02
- Wydawca:
-
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
- Język:
-
angielski
- Prawa:
-
Wszystkie prawa zastrzeżone. Swoboda użytkownika ograniczona do ustawowego zakresu dozwolonego użytku
- Źródło:
-
Acta Physica Polonica A; 1991, 79, 2-3; 277-280
0587-4246
1898-794X
- Dostawca treści:
-
Biblioteka Nauki
-
Przejdź do źródła  Link otwiera się w nowym oknie
The E$\text{}_{c}$-0.22 eV trap in Horizontal Bridgman undoped n-type GaAs may be passivated by contact with phosphoric acid for 8 hours at room temperature. Isochronal annealing, at around 250°C for 1 hour resulted in the partial recovery of this defect. The possible mechanisms of E$\text{}_{c}$-0.22 eV trap passivation are proposed.