Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Tytuł pozycji:

Optical Absorption and Raman Scattering Studies of Few-Layer Epitaxial Graphene Grown on 4H-SiC Substrates

Tytuł:
Optical Absorption and Raman Scattering Studies of Few-Layer Epitaxial Graphene Grown on 4H-SiC Substrates
Autorzy:
Grodecki, K.
Drabińska, A.
Bożek, R.
Wysmołek, A.
Korona, K.
Strupiński, W.
Borysiuk, J.
Stępniewski, R.
Baranowski, J.
Tematy:
78.66.Tr
78.40.Ri
78.30.Na
63.20.dd
63.20.kd
Data publikacji:
2009-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Język:
angielski
Prawa:
Wszystkie prawa zastrzeżone. Swoboda użytkownika ograniczona do ustawowego zakresu dozwolonego użytku
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2009, 116, 5; 835-837
0587-4246
1898-794X
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
  Przejdź do źródła  Link otwiera się w nowym oknie
Optical absorption and Raman scattering studies of few-layer epitaxial graphene obtained by high temperature annealing of carbon terminated face of 4H-SiC(000-1) on-axis substrates are presented. Changing the pressure and annealing time, different stages of the graphene formation were achieved. Optical absorption measurements enabled us to establish average number of graphene layers covering the SiC substrate. Raman scattering experiments showed that integrated intensity of the characteristic 2D peak positively correlated with the number of graphene layers deposited on the SiC substrate. The spectral width of the 2D peak was found to decrease with the number of the deposited graphene layers.

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies