Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Tytuł pozycji:

Absorption and Emission Properties of Light Emitting Diode Structures Containing GaInN/GaN QWs

Tytuł:
Absorption and Emission Properties of Light Emitting Diode Structures Containing GaInN/GaN QWs
Autorzy:
Binder, J.
Korona, K.
Borysiuk, J.
Wysmołek, A.
Baeumler, M.
Köhler, K.
Kirste, L.
Tematy:
78.55.Cr
72.40.+w
73.61.Ey
Data publikacji:
2011-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Język:
angielski
Prawa:
Wszystkie prawa zastrzeżone. Swoboda użytkownika ograniczona do ustawowego zakresu dozwolonego użytku
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2011, 120, 5; 918-920
0587-4246
1898-794X
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
  Przejdź do źródła  Link otwiera się w nowym oknie
In this work we present measurements of GaInN/GaN light emitting diodes (LEDs) with an active layer consisting of three quantum wells made of $Ga_{0.9}In_{0.10}N$ that have different widths (1.8 nm, 2.7 nm, 3.7 nm). A comparison of emission and absorption (photocurrent) on the same sample revealed a shift in energy, with the emission energy being significantly lower. The shifts are about 0.02 eV, 0.03 eV, and 0.04 eV for the quantum wells having the widths of 1.8 nm, 2.7 nm, and 3.7 nm, respectively. This can be explained by a shift of the ground state energy caused by the quantum confined Stark effect. Calculations show that due to the spontaneous polarization and the piezoelectric effect a strong electric field of the order of 1 MV/cm was present in the GaInN quantum wells. Simulations of ground-state energies in the model of an infinite square well under the influence of an electric field with a matched effective well width were performed and used to interpret the experimental results.

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies