Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Tytuł pozycji:

Undulator-Like Radiation and Cooperative Phenomenon in Semiconductor Microstructure with Grating

Tytuł:
Undulator-Like Radiation and Cooperative Phenomenon in Semiconductor Microstructure with Grating
Autorzy:
Tralle, I.
Zięba, P.
Tematy:
41.60.-m
42.50.Gy
73.61.Ey
73.40.kp
73.50.Fq
Data publikacji:
2012-02
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Język:
angielski
Prawa:
Wszystkie prawa zastrzeżone. Swoboda użytkownika ograniczona do ustawowego zakresu dozwolonego użytku
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2012, 121, 2; 522-526
0587-4246
1898-794X
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
  Przejdź do źródła  Link otwiera się w nowym oknie
In the article the cooperative $N^2$-effect is considered, that is the radiation whose power is ım $N^2$, where N is the number of emitters which in this case is equal to the number of electrons in a bunch. The suggested effect is the result of combining two other effects, Gunn-effect in GaAs and undulator-like radiation which can be produced by means of microstructure with grating (microundulator). It is very probable that the effect can be used for the developing of a new semiconductor-based room temperature source of the THz radiation.

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies