Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Tytuł pozycji:

Application of Ion Implantation for Intermediate Energy Levels Formation in the Silicon-Based Structures Dedicated for Photovoltaic Purposes

Tytuł:
Application of Ion Implantation for Intermediate Energy Levels Formation in the Silicon-Based Structures Dedicated for Photovoltaic Purposes
Autorzy:
Billewicz, P.
Węgierek, P.
Grudniewski, T.
Turek, M.
Tematy:
61.72.uf
71.55.Eq
88.40.hj
Data publikacji:
2017-08
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Język:
angielski
Prawa:
Wszystkie prawa zastrzeżone. Swoboda użytkownika ograniczona do ustawowego zakresu dozwolonego użytku
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2017, 132, 2; 274-277
0587-4246
1898-794X
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
  Przejdź do źródła  Link otwiera się w nowym oknie
The main aim of the research was to verify if it is possible to create the intermediate energy levels in silicon by means of ion implantation as well as to confirm whether the intermediate band could arise. The tests covered recording of conductance and capacitance of antimony-doped silicon, implanted with Ne⁺ ions. As a result, it was possible to identify a single deep level in the sample and determine its location in the band gap by estimating the value of activation energy.

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies