Anomalous Behavior of the Hall Effect in III-V Heterostructures

Szczegóły
Opis

Tytuł:: Anomalous Behavior of the Hall Effect in III-V Heterostructures
Autorzy:: Dziuba, Z.
Górska, M.
Marczewski, J.
Przesławski, T.
Regiński, K.
Tematy:: 61.72.Lk
72.80.Ey
Data publikacji:: 2000-02
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Język:: angielski
Prawa:: Wszystkie prawa zastrzeżone. Swoboda użytkownika ograniczona do ustawowego zakresu dozwolonego użytku
Źródło:: Acta Physica Polonica A; 2000, 97, 2; 331-336
0587-4246
1898-794X
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki
: Artykuł

Przejdź do źródła

The Hall effect and magnetoresistance were measured in the InAs/GaAs heterostructure at temperatures from 300 K down to 3 K, in a magnetic field range from 0.01 to 1.5 T. The anomalous magnetic field dependence of the Hall coefficient in the InAs/GaAs heterostructure in magnetic fields below 0.1 T was explained as due to an extraordinary Hall effect caused by skew scattering on dislocations.

Informacja

Anomalous Behavior of the Hall Effect in III-V Heterostructures