Deep defect centres in ultra-high-resistivity FZ silicon

Tytuł:: Deep defect centres in ultra-high-resistivity FZ silicon
Electronic Materials V. 42 No 4
Materiały Elektroniczne T. 42 Nr 4
Głębokie centra defektowe w krzemie o bardzo wysokiej rezystywności
Autorzy:: Kamiński Paweł
Współwytwórcy:: Krupka Jerzy
Kozłowski Roman
Kozubal Michał
Żelazko Jarosław
Wodzyński Maciej
Słowa kluczowe:: krzem o bardzo wysokiej rezystywności
deep defect centers
głębokie centra defektowe
ultra-high-resistivity silicon
HRPITS
Data publikacji:: 2014
Wydawca:: ITME.
Język:: polski
Linki:: https://rcin.org.pl/dlibra/publication/edition/55813/content Link otwiera się w nowym oknie
Prawa:: Prawa zastrzeżone - dostęp nieograniczony
Rights Reserved - Free Access
Źródło:: http://katalog.pan.pl/webpac-bin/218bitmeEN/wgbroker.exe?new+-access+top+search+open+NR+kv_6687
http://katalog.pan.pl/webpac-bin/218bitmePL/wgbroker.exe?new+-access+top+search+open+NR+kv_6687
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych
: Książka

Przejdź do źródła

Bibliogr. s.: 23-24

Bibliogr. p.: 23-24

s.:16-24 il. 30 cm.

Informacja