Głębokie centra defektowe w krzemowych warstwach epitaksjalnych zanieczyszczonych żelazem

Tytuł:: Głębokie centra defektowe w krzemowych warstwach epitaksjalnych zanieczyszczonych żelazem
Głębokie centra defektowe w krzemowych warstwach epitaksjalnych zanieczyszczonych żelazem= Deep-level defects in Fe-contaminated epitaxial silicon
Materiały Elektroniczne 1995T.23 nr 1
Materiały Elektroniczne 1995 T.23 nr 1
Autorzy:: Plewa Dariusz
Współwytwórcy:: Kamiński Paweł
Kozłowski Roman
Słowa kluczowe:: deep-level defect
głębokie centrum defektowe
Materiały elektroniczne
Electronic - materials
krzemowa warstwa epitaksjalna
silicon epitaxial layer
Elektronika - czasopismo - materiały
Electronic - journal - materials
Data publikacji:: 1995
Wydawca:: ITME
Język:: polski
Linki:: https://rcin.org.pl/dlibra/publication/edition/14745/content Link otwiera się w nowym oknie
Prawa:: Prawa zastrzeżone - dostęp nieograniczony
Rights Reserved - Free Access
Źródło:: http://katalog.pan.pl/webpac-bin/218bitmeEN/wgbroker.exe?new+-access+top+search+open+NR+kv_5802
http://katalog.pan.pl/webpac-bin/218bitmePL/wgbroker.exe?new+-access+top+search+open+NR+kv_5802
ITME, sygn. dostępny
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych
: Książka

Przejdź do źródła

5-18 s. : il. ; 24 cm.

5-18 s. : il.

Bibliogr. s. 17

Informacja